Bei diesem Beitrag handelt es sich um eine Frage aus meinem Photovoltaik-Quiz für Profis, welches ich momentan leider nicht zur Verfügung stellen kann.

Ordnen Sie die Wafer Herstellverfahren aus bandgezogenem Silizium zu:

Verfahren A: Zwei Drähte werden durch flüssiges Silizium gezogen und das Silizium erstarrt in Form eines Bandes, das in Scheiben geschnitten wird

Verfahren B: Ein achteckiges Silizium-Rohr wird direkt aus der Schmelze gezogen und anschließend per Laser in Scheiben geschnitten

Verfahren C: Ein Trägermedium bewegt sich unter einem mit flüssigem Silizium gefüllten Schmelzbehälter hinweg. Das relativ kalte Trägermaterial entzieht dem flüssigen Silizium im Behälter die Wärme, wodurch das Silizium auf dem Trägermaterial kristallisiert

Welche Verfahren A, B oder C gehören zu den unten aufgeführten Begriffen?

• EFG-Verfahren (edgedefined film-fed growth)
• String-Ribbon-Verfahren
• RGS-Verfahren (ribbon growth on substrate)

Allgemein:
Bei den Bandziehverfahren werden Folien aus der Siliziumschmelze direkt gezogen. Die Siliziumbänder besitzen von vorne herein die Dicke der späteren Wafer und müssen nur noch durch Laserbearbeitung in Stücke geschnitten werden. Gemein haben die Bandziehverfahren, dass sie Kosten einsparen.

Ergebnisse:

Verfahren A:
Dabei handelt es sich um das String-Ribbon-Verfahren.
Beim String-Ribbon-Verfahren werden zwei Drähte durch flüssiges Silizium gezogen und das Silizium erstarrt in Form eines Bandes, das in Scheiben geschnitten wird. Bei diesem Verfahren entsteht weniger Abfall und es wird Material eingespart.

Verfahren B:
Dabei handelt es sich um das EFG-Verfahren (edgedefined film-fed growth)
Bei dem EFG-Verfahren (edge-defined film-fed growth, zu deutsch: kantendefiniertes Filmwachstum) wird ein achteckiges Rohr aus der Siliziumschmelze gezogen. Die Kantenlänge beträgt ca. 10 cm und das Rohr kann bis zu 5 m lang sein. Das aus der Schmelze gezogene polykristalline Rohr wird mit einem Laserstrahl geschnitten und zu 10 x 10 cm2 oder 10 x 15 cm2 großen Wafern verarbeitet. Vorteile gegenüber dem Blockgießverfahren hat der Prozeß ebenfalls durch die Materialeinsparung.

Verfahren C:
Dabei handelt es sich um das RGS-Verfahren (ribbon growth on substrate)
Beim RGS-Verfahren (ribbon growth on substrate deutsch: Bandziehen auf einem Substrat) wird ein Trägermaterial unter einem Tiegel mit flüssigem Silizium hinweg bewegt. So wird Silizium mitgezogen und kann dann auf dem Substrat kristallisieren.

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