Veröffentlicht am Feb. 6, 2023

Herstellverfahren für Wafer

Ordnen Sie dem jeweiligen Herstellungsverfahren für Wafer den richtigen Namen zu. Die möglichen Verfahren sind das EFG-Verfahren (edgedefined film-fed growth), das String-Ribbon-Verfahren sowie das RGS-Verfahren (ribbon growth on substrate).<ul> <li>Verfahren A: Zwei Dr&auml;hte werden durch fl&uuml;ssiges Silizium gezogen und das Silizium erstarrt in Form eines Bandes, das in Scheiben geschnitten wird</li> &nbsp; <li>Verfahren B: Ein achteckiges Silizium-Rohr wird direkt aus der Schmelze gezogen und anschlie&szlig;end per Laser in Scheiben geschnitten </li> &nbsp; <li>Verfahren C: Ein Tr&auml;germedium bewegt sich unter einem mit fl&uuml;ssigem Silizium gef&uuml;llten Schmelzbeh&auml;lter hinweg. Das relativ kalte Tr&auml;germaterial entzieht dem fl&uuml;ssigen Silizium im Beh&auml;lter die W&auml;rme, wodurch das Silizium auf dem Tr&auml;germaterial kristallisiert</li> </ul>

Ergebnis

Verfahren A Dabei handelt es sich um das String-Ribbon-Verfahren. Beim String-Ribbon-Verfahren werden zwei Drähte durch flüssiges Silizium gezogen und das Silizium erstarrt in Form eines Bandes, das in Scheiben geschnitten wird. Bei diesem Verfahren entsteht weniger Abfall und es wird Material eingespart.

Verfahren B Dabei handelt es sich um das EFG-Verfahren (edgedefined film-fed growth). Bei dem EFG-Verfahren (edge-defined film-fed growth, zu deutsch: kantendefiniertes Filmwachstum) wird ein achteckiges Rohr aus der Siliziumschmelze gezogen. Die Kantenlänge beträgt ca. 10 cm und das Rohr kann bis zu 5 m lang sein. Das aus der Schmelze gezogene polykristalline Rohr wird mit einem Laserstrahl geschnitten und zu 10 x 10 cm2 oder 10 x 15 cm2 großen Wafern verarbeitet. Vorteile gegenüber dem Blockgießverfahren hat der Prozeß ebenfalls durch die Materialeinsparung.

Verfahren C Dabei handelt es sich um das RGS-Verfahren (ribbon growth on substrate) Beim RGS-Verfahren (ribbon growth on substrate deutsch: Bandziehen auf einem Substrat) wird ein Trägermaterial unter einem Tiegel mit flüssigem Silizium hinweg bewegt. So wird Silizium mitgezogen und kann dann auf dem Substrat kristallisieren.

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